第119章 提拉失败，设备出现严重问题 (第2/3页)
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谢总裁信任，谢谢各位信任，我重新计算再试一次。”
“去吧。”
陈星并没有责怪的意思。
半导体硅片生产本身就难，如果这么轻易就解决，那就不需要100%依赖进口了，这是国产必须要经历的过程。
翟勇这时也站出来，提高数倍音量道：“石英坩埚重新加热到1450摄氏度保持，等待杨工程师计算出下次提拉速度。”
“石英坩埚重新加热，已设定1450摄氏度保持！”
“温度正在上升！”
设备操控员重复说道，确认数值没有出错。
而在另一边。
工厂的某间办公室内。
杨烈来到办公桌坐下，翻看沪硅集团失败的案例，并开始总结这次失败的经验。
想拉大尺寸硅棒，需要计算提拉速度、硅溶液、母晶与辐射热量。
先说提拉速度，单晶硅棒为什么可以提拉出来。
这是因为母晶，也就是晶种放入硅溶液以后，硅溶液里的硅晶体会附着在晶种上。
当它们附着时缓慢拉出，因为液体表面的温度下降，会由液态转变为固态。
这个现象就好比在极寒地区，屋内是23摄氏度，而外面是零下二十几度，当你拿着水枪往屋外喷水时，喷射的水柱接触到外面的冷空气会瞬间凝结成冰。
单晶硅棒的提拉法，操作原理亦是如此。
至于想要拉多大尺寸，则是取决于拉升速度和旋转速度。
旋转让四周硅晶体附着，拉升则是让附着的硅晶体冷却，期间还要多次调试拉升速度，不然后续会越发臃肿。
但杨烈仔细算过了，两小时后才需要调整提拉速度，这才一小时不到的时间，为什么母晶会断，附着太多硅晶体了？
他总结经验的同时，不断翻看沪硅集团的失败总结，可接连几次的计算，得出的结果还是提拉速度为每分钟3毫米。
“难道是提拉速度太慢了，调整到4毫米试试？”
杨烈继续计算。
他觉得是提拉速度太慢了，导致晶种附着的单晶硅太多，从而拉崩断了母晶。
提拉速度上升的话，附着的单晶硅就会减少。
想到这。
他连忙返回作业区域。
而陈星见杨烈这么快回来，立即询问道：“已经找到解决方案了？”
“暂时不确定是不是提拉速度的问题，还需要进一步实验。”
杨烈快速回答道。
他现在脑子很乱，有些怀疑自己的技术。
在他数次计算下，每分钟提拉速度是3毫米，可偏偏3毫米又把晶种给拉断。
目前他猜测三种情况。
一、提拉速度太慢，导致晶体附着过多，超出了原本的14寸，可能达到了20寸以上，晶种才会承受不住压力断开。
二、晶种纯度不够，杂质破坏了单晶硅面，硅晶体附着时，出现了空隙。
三、设备问题。
后两种情况，杨烈相信魏华韩铭的硅石提炼技术，也相信愿意陈星带来的设备没问题，所以他并没有去怀疑，而是认为自己可能是初次计算错误。
可六个小时后，石英坩埚炉确实提起来了一根单晶硅棒，直径却只有10寸，如果算上抛光打磨，最终只能作出8寸半导体硅片。
“为什么会这样？”
杨烈摸不着头脑，他又指挥下一次的提拉单晶硅棒，重新把速度调回3毫米每分钟。
然而…
又是一小时不到。
“嘣——”
晶种连接处再次断裂，提拉出来的单晶硅重重砸进硅溶液，发出一声闷响。
熔炼。
提拉。
崩断。
杨烈尝试了数次，陈星也没有离开硅工厂，而是与硅片工程师们同吃同住。
在经历了数次参数调整，时间也过去了三天，杨烈胡渣邋遢，还在计算哪里不对，这位老实人根本没去想机器和纯度的问题。
提纯人才韩铭看不下去，也试着帮忙寻找问题。
当他拿着单晶硅碎块去检测，瞳孔猛然收缩，立马吆喝道：
“有问题！提纯出问题了！单晶硅纯度仅为99.9999%，6n，这是工业级，不是半导体级别！”
声音传遍工厂，让负责提纯的魏华都愣住了。
6n？
怎么可能！
当初他们已经测过了，明明是11n的纯度！
多晶硅11n，单晶硅怎么可能是6n，这里面就一个熔炼提拉，除非掺杂出现了错误？
负责掺杂的翟勇更是懵逼，他也没掺杂杂质啊，他掺杂的是磷，增加硅片导电性的磷！
陈星也听见了韩铭的吆喝，立马将他喊住道：“韩工，到底是怎么回事？不是说11n多晶硅熔炼提拉就会得到单晶硅吗？”
